КРЕМНИДІҢ НАНОӨЛШЕМДІ ҮЛГІЛЕРІНЕН ИОНДАРДЫҢ КЛАСТЕРЛІК ҚАЙТАЛАМА ЭМИССИЯСЫ
Аннотация
Өткен уақыт өлшемін қайталайтын ионды масс–спектрометрия 60 нм диаметрлі бөлшектерден престелген таблеткалардың массивті монокристаллической пластиналары мен ұзындығы 200 нм және биіктігі 160 нм диаметрлі колонкадан тұратын голографиялық торлардың түрлі өлшемдік ерекшеліктерімен Si үш түрлі үлгілерінің кластерлік эмиссиясын зерттеу үшін пайдаланылған. Көрсетілгендей, 25 кэВ энергиясымен Bi3 + ионды–сәулелік бомбылау кезінде екі наноөлшемді үлгісі Si массивті үлгісімен салыстырғанда қарқынды теріс кластерлік екінші ионды эмиссиясын көрсетеді. Байқағанымыздай, бұл «наноөлшемді шашырату әсері» n–7–ден Sin ірі кластерлер және наноұнтақтарының престелген таблеткалары үшін өте байқалады, онда жекелеген бөлшектері, түзілген голографиялық торлар бағаналарына қарағанда анағұрлым оқшауланған.
Автор туралы
А. ТолстогузовПортугалия
Александр Толстогузов
Капарика
Әдебиет тізімі
1. Richter C–E, Trapp M. Atomic and cluster ion emission from silicon in secondary–ion mass spectrometry: I. Sin and SinOr ions. Intern. J. Mass Spectrom. Ion Phys. 1981; 38: 21–33.
2. Belykh SF, RasulevUKh, Samartsev AV, Stroev LV, Zinoviev AV. High non–additive sputtering of silicon as large positive cluster ions under polyatomic ion bombardment. Vacuum 2000; 56: 257–262.
3. Ninomiya S, Ichiki K, Nakata Y, Seki T, Aoki T, Matsuo J. The effect of incident cluster ion energy and size on secondary ion yields emitted from Si. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 2007; 256: 528– 531.
4. Yang L, Seach MP, Anstis H, Gilmore IS, Lee JLS. Sputtering yields of gold nanoparticles by C60 ions. J. Phys. Chem C 2012; 116: 9311–9318.
5. Geng S, Verkhoturov SV, Eller MJ, Clubb AB, Schweikert EA. Characterization of individual free– standing nano–objects by cluster SIMS in transmission. J. Vac. Sci. Technol. B 2016; 34: 03H117–1– 5.
6. Belykh SF, Tolstogouzov AB, Lozovan AA. On the possibility of using the nanosized effect of ion sputtering in the development of a high–current source of atomic and cluster ions of solid–state elements. J. Surf. Investigation: X–ray, Synchrotron & Neutron Techn. 2015; 9: 1144–1151.
7. Belykh SF, Bekkerman AD, Tolstogouzov AB, Lozovan AA, Fu DJ. Principle of the construction and computer simulation of a source of homogeneous and heterogeneous cluster ions. J. Surf. Investigation: X–ray, Synchrotron & Neutron Techn. 2018; 12: 40–45.
Рецензия
Дәйектеу үшін:
Толстогузов А. КРЕМНИДІҢ НАНОӨЛШЕМДІ ҮЛГІЛЕРІНЕН ИОНДАРДЫҢ КЛАСТЕРЛІК ҚАЙТАЛАМА ЭМИССИЯСЫ. М. Қозыбаев атындағы Солтүстік Қазақстан Университетінің Хабаршысы. 2019;(1 (42)):184-189.
For citation:
Tolstoguzov A. CLUSTER SECONDARY ION EMISSION FROM THE NANOSIZED SILICON SAMPLES. Vestnik of M. Kozybayev North Kazakhstan University. 2019;(1 (42)):184-189.